AO4485 Transistor P-MOSFET unipolare 40V 8A 1.1W

Personalizzazione: Disponibile
Tipo conduttivo: Circuito Integrato Bipolare
Integrazione: MSI

Products Details

Informazioni di Base.

Model No.
AO4485
Tecnica
Circuito integrato a semiconduttore
med.
aos
d/c
22+
pacchetto
sop8
qualità
originale nuovo
forma
hqfp64
Pacchetto di Trasporto
scatola
Origine
Repubblica Popolare Cinese
Codice SA
8542390000
Capacità di Produzione
1000000pz

Descrizione del Prodotto

Descrizione

AO4485:   Canale P 40 V 10A (Ta) 1,7W (Ta) montaggio superficiale 8-SOIC

MFR. N. parte: AO4485

MFR.: AOS

Scheda tecnica:  AO4485 Transistor P-MOSFET unipolar 40V 8A 1.1W(E-mail o chat per file PDF)

Stato ROHS:  AO4485 Transistor P-MOSFET unipolar 40V 8A 1.1W

Qualità: 100% originale

Garanzia: UN ANNO
 

Stato del prodotto
Attivo
 
Tipo FET
Canale P.
 
Tecnologia
MOSFET (ossido di metallo)
 
Tensione da drain a source (Vdss)
40 V.
 
Corrente - scarico continuo (Id) @ 25 °C.
10 a (Ta)
 
Tensione di trasmissione (RDS max ON, RDS min ON)
4,5V, 10V
 
RDS on (Max) @ Id, Vgs
15 mOhm @ 10 a, 10 V.
 
VGS(th) (Max) @ Id
2,5 V @ 250µA
 
Carica gate (Qg) (max) @ Vgs
55 NC @ 10 V.
 
VGS (max)
±20 V.
 
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
3000 pF @ 20 V.
 
Funzione FET
-
 
Dissipazione di potenza (max)
1,7 W (Ta)
 
Temperatura di esercizio
-55°C ~ 150°C (TJ)
 
Tipo di montaggio
Montaggio superficiale
 
Pacchetto dispositivo fornitore
8-SOIC
 
Confezione / contenitore
8-SOIC (0.154", 3,90 mm di larghezza)
 
Numero prodotto base
AO44
 
 

L'AO44485 utilizza una tecnologia trench avanzata per fornire un'eccellente RDS(ON) con bassa carica di gate. Questo dispositivo è adatto per l'uso come applicazione di convertitore CC-CC.









AO4485 Transistor P-MOSFET unipolar 40V 8A 1.1W


AO4485 Transistor P-MOSFET unipolar 40V 8A 1.1W


AO4485 Transistor P-MOSFET unipolar 40V 8A 1.1W

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